Электронные компоненты ведущих мировых производителей

Задать вопрос специалисту

Обновление семейства OptiMOS™ Source-Down – появился новый низковольтный (40В) мощный MOSFET транзистор в корпусе PQFN

23 Ноября 2020

PQFN_3_3x3_3_SDCG

Современным силовым установкам требуется более высокие плотности мощности и компактные размеры, чтобы улучшить характеристики системы. В ответ на это компания Infineon представила новые транзисторы в семействе OptiMOS™ Source-Down в квадратном корпусе PQFN с печатной контактной площадкой 3.3 *3.3мм. Они предназначены для импульсных источников питания серверов и телекоммуникаций, для защиты аккумуляторов, а также для электроинструментов и зарядных устройств.

Характерная черта корпуса Source-Down (SD) – перевёрнутый полупроводниковый кристалл внутри компонента. В этом случае к теплостоку корпуса вместо стока подключен исток MOSFET. Как оказалось, это уменьшает сопротивление R DS(on) до 25% в сравнении со стандартной технологией. Кроме того, значительно улучшается тепловое сопротивление R thJC в сравнении со стандартным корпусом PQFN. Новые транзисторы OptiMOS Source-Down могут выдерживать токи до 194А в течении длительного времени. Дополнительно оптимизируется топология печатной платы и более эффективно используется ее площадь.
Доступность
MOSFET транзисторы семейства OptiMOS SD с рабочим напряжением 40В доступны для заказа в двух вариантах: стандартный и с центральным затвором (Center-Gate).

Подробнее>>