Электронные компоненты ведущих мировых производителей

Задать вопрос специалисту

Новые IGBT транзисторы CoolSiC™ Hybrid с рабочим напряжением 650В повышают КПД системы

25 Марта 2021

CoolSiC_650_V_Hybrid_IGBT_4pin

Анонсировано новое семейство дискретных IGBT CoolSiC™ Hybrid с рабочим напряжением 650В. В них сочетаются преимущества технологий TRENCHSTOP™ 5 Si IGBT и диодов Шоттки CoolSiC. За счёт высокой частоты переключения и сниженным потерь при коммутациях, транзисторы этой серии хорошо подойдут для DC-DC конверторов и компенсаторов реактивной мощности.

Области применения: устройства для заряда аккумуляторов, хранение энергии, инверторы для солнечной энергетики, источники бесперебойного питания, а также импульсные источники питания (SMPS).

В транзисторах серии CoolSiC Hybrid в одном корпусе объединены обратный SiC диод Шоттки и Si IGBT кристалл в результате чего удалось получить значительно меньшие потери переключения при тех же значениях dv/dt и di/dt. Кроме того значительно сокращены: энергии включения и выключения E on до 60% и E off на 30% , в сравнении со стандартными Si диодами. Обратно при фиксировании потерь может быть увеличена частота переключений без изменения мощности на выходе. Благодаря более высокой частоте переключений сокращается количество пассивных компонентов и их общая стоимость. Hybrid транзисторы можно использовать как полноценную замену транзисторам TRENCHSTOP 5, при этом они обеспечат большую эффективность в 0,1% на каждые 10кГц частоты переключения при той же схеме.

Транзисторы этого семейства создают «переход» между компонентами, основанными на кремнии и MOSFET транзисторами на карбиде кремния (SiC). Кроме того, IGBT транзисторы серии Hybrid повышают электромагнитную совместимость и надёжность всей системы. Диоды Шоттки переключаются быстрее без сильных колебаний и ложных срабатываний. Возможны два исполнения корпуса: TO-247-3 и TO-247-4 с выводом Кельвина. Четвертый вывод – эмиттер Кельвина даёт возможность снизить паразитную индуктивность в петле управления транзистором и уменьшить потери при переключении.

Доступность
Семейство дискретных транзисторов CoolSiC Hybrid - продолжение успешной серии гибридных модулей CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK™ 1B и 2B с IGBT кристаллом и CoolSiC диодом Шоттки. Вся линейка транзисторов доступна для заказа. Серия CoolSiC Hybrid состоит из транзисторов с рабочими токами 40, 50 и 75А и напряжением 650В. Это могут быть: TRENCHSTOP 5 ultra-fast H5 IGBT кристаллы с CoolSiC диодами 6го поколения или S5 IGBT кристаллы с CoolSiC диодами 6го поколения.

CoolSiC Hybrid discretes >>